Vss：地或电源负极
Vdd,Vss在MOS电路中出现，和漏级（Drain），源极（Source）有关，也是一正一负。
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；
VEE：E=electron 表示构成物质的基本粒子之一，因带负电，也写作e，通常指负电压供电；
VDDH：H=high 表示高压，即高压供电端。
当集成电路器件的管脚标示vss时通常表示该管脚为备用电源引脚 VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；
VEE：E=electron 表示构成物质的基本粒子之一，因带负电，也写作e，通常指负电压供电；
VDDH：H=high 表示高压，即高压供电端。
MOS电路：
采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。 MOS集成电路又分为PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。
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Bi-CMOS是双极型CMOS（Bipolar-CMOS）电路的简称，这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管，因此兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路输出阻抗低的优点。
TTL电路：
TL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度和品种多等特点。
CMOS与TTL:
TTL是电流控制器件，COMS是电压控制器件。
TTL电路传输快，延迟短，功耗大。
CMOS电路传输慢，延迟大，功耗小。CMOS的功耗与输入自身的脉冲频率有关，频率越高，功耗越大。